Last Updated on 03/04/2017
اعداد
محمد تقي حسين , كاظم عبد الواحد عادم وإيمان كريم حسن
قسم الفيزياء- كلية العلوم- جامعة بغداد
قسم الفيزياء- كلية العلوم- جامعة بغداد
الموجز:
في هذا ألاختراع تم تصميم و بناء ترانزستور تأثير المجال من مواد عضوية تعمل بمثابة شبه موصل عضوي- معدني وهي مادة (فثالوسيانين- نحاس) (CuPc) وبأسماك مختلفة من مادة ثاني أوكسيد السليكون (SiO2) كمادة عازلة بأستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي (PLD) . ويمكن أستعمال هذا الترانزستور في تصنيع أجهزة الذاكرة مثل بطاقات تحديد الهوية ذات التردد الراديوي (RFIDs) و البطاقات الذكية و الصحف الالكترونية وشاشات العرض المرنة. أن هذا الترانزستور مصنع من مواد عضوية شبه موصلة يمكن تحضيرها بسهولة من مواد عضوية متوفرة في الطبيعة وبكلفة منخفضة جداً. تم تصنيع ترانزستور (CuPc) ذو قناة نوع p طولها L=0.25 ملي متر وعرضها W=4.7 ملي متر وذلك بترسيب طبقة عازلة من مادة ثاني أوكسيد السليكون وبأسماك مختلفة (300,200,100) على قاعدة من السليكون السالب (نوع n) ثم ترسيب طبقة من مادة (فثالوسيانين- نحاس) فوق طبقة المادة العازلة .وقد تم ترسيب أقطاب المصرف و المصدر و البوابة من الالمنيوم بسمك (200) نانومتر بأستخدام تقنية التبخير الحراري. وإجراء عملية التوصيل و قياس ميزتي ألأخراج و ألأنتقالية للنبيطة المصنعة عند درجة حرارة المختبر. أظهرت النتائج ان مميزات ألأخراج للترانزستور ومميزات ألأنتقال تتفق مع السلوك النظري للترانزستور . كما تم ملاحظة ان الخواص ألكهربائية للترانزستور المصنع تتحسن بنقصان سمك الطبقة العازلة وأن نسبة التحويل هي بحدود 2.6×102 .